DMTH4004LPSQ-13

当您的下一代汽车电子或工业电源设计面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率开关，竟能成为决定系统成败的关键？答案就藏在DMTH4004LPSQ-13之中。这不仅仅是一颗N沟道MOSFET，它更是Diodes Incorporated为严苛应用环境量身打造的能量控制大师，以其卓越的40V耐压和高达100A的连续电流承载能力，为您扫清高功率密度设计道路上的障碍。

想象一下，在电动汽车的电机驱动模块中，或在服务器集群的冗余电源里，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的积聚。DMTH4004LPSQ-13凭借其极低的2.5毫欧导通电阻（在10V驱动下），能将传导损耗降至前所未有的水平，这意味着更少的能量浪费、更低的温升，以及系统整体可靠性的飞跃。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，确保了从-55°C到175°C的结温范围内稳定工作，无惧极端温度挑战，是追求零缺陷的汽车电子和工业应用的信心之选。

选择它，就是选择了一种更高效、更可靠的设计哲学。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在高速切换下也能保持冷静与高效。PowerDI5060-8的紧凑封装，在提供强大散热能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，助力实现更小巧、更集成的终端产品。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、高可靠性和高空间利用率要求的解决方案，那么DMTH4004LPSQ-13无疑是您的不二之选。为确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，为您的创新保驾护航。

• 型号:DMTH4004LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5220 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.83W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMTH4004LPSQ-13正是为您破解这一难题的利器。这颗来自Diodes的汽车级N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达100A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅2.5毫欧@10V）。这意味着在您的大电流开关应用中，它能大幅减少导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统能效。

它专为汽车和工业等严苛环境设计，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在极端条件下依然稳定可靠。优化的栅极电荷和开关特性，让您的驱动电路设计更轻松，实现更快、更高效的功率切换。选择DMTH4004LPSQ-13，就是选择了一个能让您的产品在性能、可靠性和能效上全面领先的强大心脏。