DMTH4004LPS-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达175°C结温下稳定工作，同时将导通电阻压至惊人的2.5毫欧的功率开关这不仅仅是参数，更是系统效率跃升的钥匙。今天，我们为您带来的DMTH4004LPS-13，正是这样一款旨在重新定义功率密度的N沟道MOSFET，它用实实在在的数据，为您的下一个设计注入强劲动力。

当我们将目光投向其核心优势，卓越的电气性能立刻映入眼帘。高达100A的连续漏极电流承载能力，配合仅2.5毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热量。更低的损耗直接转化为更高的系统效率、更小的散热器需求以及更长的设备寿命。其4.5V的低驱动电压门槛，让它在与主流控制器搭配时游刃有余，轻松实现高效驱动。而PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热路径，其紧凑的表面贴装形式更是为空间受限的现代电子设备量身定做，让您在有限的主板上实现更大的功率布局。

这颗芯片的价值，在广泛的应用场景中得以充分释放。无论是新能源汽车中负责电能分配与电机驱动的DC-DC转换器和电机控制单元，还是工业自动化领域里要求严苛的伺服驱动和电源模块，DMTH4004LPS-13都能凭借其AEC-Q101车规级认证的可靠基因，从容应对高振动、宽温差的恶劣环境。在通信基站电源、高端消费类电子产品的快充电路中，它同样能确保能量转换的高速与精准，提升终端产品的整体性能和用户体验。它的出现，让工程师在面对高功率密度设计挑战时，多了一个值得信赖的、高性能的解决方案。

那么，在纷繁的元器件市场中，选择它的理由究竟是什么？首先，是极致的性能与可靠性平衡。从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保了其在极端条件下的稳定运行，这是对品质最硬核的承诺。其次，是它带来的整体系统成本优化。更低的导通损耗和优异的散热性能，可以简化热管理设计，降低系统复杂性和物料成本。最后，其背后是Diodes Incorporated强大的技术支撑与质量体系。当您通过值得信赖的DIODES代理商获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个组件，更是一份保障设计成功、加速产品上市的坚实支持。选择DMTH4004LPS-13，就是选择为您的产品注入高效、可靠与创新的核心动力。

• 型号:DMTH4004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4508 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH4004LPS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达100A的连续电流能力，其最闪耀的亮点在于仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而生，通过AEC-Q101车规认证，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定可靠。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，兼具优异的散热性能和紧凑的占板面积，让您轻松实现高功率密度设计。无论是提升能效、简化散热，还是增强系统可靠性，DMTH4004LPS-13都是您优化下一代电力电子设计的理想选择。