DMTH4004LK3Q-13

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够承载100A大电流，同时将导通电阻降至仅3毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍DMTH4004LK3Q-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的强大引擎。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。在汽车电子领域，无论是日益复杂的48V轻混系统、高效的电控单元(ECU)，还是高功率的LED驱动和电机控制，DMTH4004LK3Q-13都能凭借其高达100A的连续漏极电流和40V的漏源电压，轻松应对严苛的负载需求。其符合AEC-Q101车规级认证，确保了在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定可靠，为您的设计注入安心。而在工业电源、服务器电源或高密度DC-DC转换器中，其极低的3毫欧导通电阻（@50A, 10V）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更简洁的散热设计，让您的设备在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择DMTH4004LK3Q-13，就是选择了一份经过验证的卓越与可靠。它采用先进的MOSFET技术，在4.5V的低驱动电压下即可实现优异的导通特性，简化了驱动电路设计。紧凑的TO-252-4L（DPAK）表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关行为，进一步减少了开关损耗，让整个系统的响应速度与能效比达到新的高度。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、高可靠性和高性价比的功率解决方案，那么这颗芯片无疑是您的理想之选。为了确保您能便捷地获得这款优质产品，我们推荐您通过专业的DIODES中国代理进行采购，以获得完整的技术支持和稳定的供货保障。

• 型号:DMTH4004LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高功率应用的效率与散热难题寻找答案吗？DMTH4004LK3Q-13就是您期待的那把钥匙。这颗N沟道MOSFET拥有高达100A的电流处理能力和仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，让电能转换更高效，发热更少，从而简化散热设计，提升整体可靠性。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车动力系统、工业电源或服务器等关键应用中稳定运行。其优化的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够实现更快的开关频率，提升电源密度和动态响应。选择它，就是为您的产品选择了一个强劲、可靠且高效的动力核心。