DMTH32M5LPS-13

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMTH32M5LPS-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其颠覆性的性能参数，重新定义了30V电压等级下的功率处理能力。想象一下，在紧凑的PowerDI5060-8封装内，竟能持续承载高达170A的电流，同时导通电阻低至惊人的2.2毫欧，这意味着更低的传导损耗、更少的发热以及更高的整体能效，直接为您的产品注入强劲而高效的“心脏”。

它的身影将活跃于各类高要求的应用前线。无论是数据中心服务器中需要极高功率密度的DC-DC转换模块，还是新能源车车载充电器(OBC)和电机驱动中要求快速响应与可靠性的开关电路；无论是工业自动化设备里驱动大电流负载的控制器，还是高端消费电子产品的快充解决方案，DMTH32M5LPS-13都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在严苛环境下依然稳定运行，而优化的栅极电荷（Qg仅68nC）则显著降低了开关损耗，让系统频率可以更高，磁性元件体积得以进一步缩小，助力您的设计向着更小、更轻、更高效的目标迈进。

选择DMTH32M5LPS-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计保障。它完美平衡了性能、尺寸与可靠性，让工程师在应对日益严苛的能效标准和空间限制时，手中握有更具竞争力的王牌。通过与值得信赖的DIODES代理合作，您不仅能获得这颗卓越的芯片，更能得到原厂级的技术支持与稳定的供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。立即体验DMTH32M5LPS-13带来的变革性力量，为您的下一代电源和电机驱动方案奠定无可匹敌的性能基石。

• 型号:DMTH32M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？DMTH32M5LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达170A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的2.2毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为 demanding 应用而优化。优异的栅极特性让开关速度更快、损耗更低，非常适合高频开关电源、电机驱动和各类负载开关。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，在提供强大功率处理能力的同时，帮助您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。