DMTH3004LPSQ-13

想象一下，您的下一代电源管理系统，能否在更小的空间内承载更高的电流，同时将能量损耗降至前所未有的低点？这正是DMTH3004LPSQ-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101车规级标准的杰出代表，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的性能参数，正在重新定义高效功率转换的边界。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

当您面对汽车电子、工业电源或高密度计算设备的设计挑战时，DMTH3004LPSQ-13就是您最可靠的伙伴。在严苛的车载环境中，从电机驱动、LED照明到电池管理系统，它都能凭借高达175°C的结温和车规级可靠性稳定运行。在服务器电源或通信设备中，其极低的3.8毫欧导通电阻意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。无论是需要快速开关的DC-DC转换器，还是对空间极其敏感的便携式设备，其PowerDI5060-8封装都提供了优异的散热能力和紧凑的占板面积，让您的设计游刃有余。

选择DMTH3004LPSQ-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它高达145A（Tc）的连续漏极电流承载能力，配合仅43.7nC的低栅极电荷，确保了在高压大电流场景下依然能实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗和电磁干扰。这意味着您的终端产品将拥有更快的响应速度、更低的温升和更高的整体能效。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件，成为您撬动市场、赢得用户信赖的坚实支点。

• 型号:DMTH3004LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），145A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMTH3004LPSQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMTH3004LPSQ-13正是为您破解这一难题而生。这颗30V N沟道MOSFET，凭借其惊人的3.8毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电源设计轻松突破能效极限，释放更多性能潜力。

它不仅能承载高达145A（Tc）的强劲电流，更拥有43.7nC的低栅极电荷，确保开关动作既迅速又高效。无论是构建紧凑的汽车电机驱动单元，还是设计高功率密度的服务器电源，它都能让您以更小的体积和更低的发热，实现更稳定、更强大的功率输出。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。