DMTH3004LK3Q-13

在追求极致效率的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMTH3004LK3Q-13，正是这样一颗能够彻底改变您设计体验的卓越芯片。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在汽车引擎舱的高温环境中，或者在工业设备持续满载的工况下，普通的MOSFET可能因过热或性能衰减而成为系统短板。而DMTH3004LK3Q-13凭借其高达175°C的结温工作能力和AEC-Q101车规级认证，天生就是为应对这些挑战而生。其仅4毫欧的超低导通电阻，意味着在20A电流、10V驱动下，导通损耗被大幅削减，电能得以更高效地传递，直接转化为更低的温升、更长的续航或更强的输出功率。无论是驱动电机、管理电池，还是进行负载开关，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

这颗芯片的价值，在新能源汽车的DC-DC转换器、车载充电机(OBC)中体现得淋漓尽致。其高达75A的脉冲电流处理能力，足以从容应对启动瞬间或负载突变带来的电流冲击，确保动力系统响应迅捷且安全。同时，优化的栅极电荷设计，使得开关速度更快，开关损耗更低，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。当您需要一款能在-55°C至175°C的广阔温度范围内都保持优异性能的解决方案时，DMTH3004LK3Q-13无疑是您信心的来源。选择它，就是选择了经过市场验证的可靠性与由卓越参数支撑的高性能。

我们理解，优秀的设计需要强大的供应链支持。通过值得信赖的DIODES中国代理，您可以便捷地获取这颗高品质芯片，并获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。DMTH3004LK3Q-13以其TO-252-4L的紧凑封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了出色的散热能力，107W的功率耗散让它在高功率密度设计中游刃有余。它不仅仅满足于参数表上的优秀数字，更致力于在您的实际应用中，持续稳定地释放每一分性能潜力，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMTH3004LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:107W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMTH3004LK3Q-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率转换效率的瓶颈而困扰吗？DMTH3004LK3Q-13专为高效能、高可靠性应用而生，它能让您的设计脱胎换骨。这颗30V N沟道MOSFET拥有低至4毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效；同时，高达75A的脉冲电流能力和AEC-Q101车规认证，确保其在汽车电子、工业控制等严苛环境中稳定输出，无畏挑战。

它采用热增强型的TO-252-4L封装，散热性能优异，配合宽广的-55°C至175°C工作结温，让您的设备即使在极端温度下也能持续高效运行。优化的栅极电荷特性，助力实现更快的开关速度和更低的开关损耗，是您打造下一代高效电源、电机驱动或负载开关系统的理想核心。选择DMTH3004LK3Q-13，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏。