DMTH10H030LK3-13

当您的下一个汽车电子项目需要兼顾高可靠性与出色性能时，您是否在寻找一颗能承受严苛环境考验的功率开关解决方案？答案就在DMTH10H030LK3-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为汽车级应用而生，它不仅是一个组件，更是您产品稳定性和竞争力的坚实保障。想象一下，在引擎控制单元、LED驱动或DC-DC转换器中，一颗芯片就能轻松驾驭100V电压和28A的连续电流，其低至30毫欧的导通电阻意味着更少的能量损耗和更低的发热，让系统效率跃升新台阶。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它通过了严苛的AEC-Q101认证，这意味着它从设计之初就瞄准了汽车电子最核心的需求在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作，无惧振动与冲击。无论是新能源汽车的电池管理系统、车载充电器，还是传统汽车的电机驱动与电源分配单元，DMTH10H030LK3-13都能以其卓越的可靠性和性能，成为您设计中值得信赖的“心脏”。其TO-252-4L封装不仅提供了优异的散热能力，也便于自动化生产，加速您的产品上市进程。

选择DMTH10H030LK3-13，就是选择了一份安心与高效。它用实实在在的汽车级品质，为您省去了后期繁琐的可靠性验证与潜在的风险成本。虽然该型号已进入停产状态，但通过与可靠的DIODES芯片代理合作，您依然可以获取库存或找到完美的替代方案，确保供应链的连续性与项目进度。让这颗凝聚尖端技术与严苛标准的功率器件，为您的创新注入强劲而稳定的动力，共同驶向成功的未来。

• 型号:DMTH10H030LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 28A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能同时满足高压、大电流与高可靠性要求的MOSFET而烦恼吗？DMTH10H030LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗100V/28A的N沟道MOSFET，凭借其低至30毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和温升，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它专为汽车电子等严苛环境设计，通过了AEC-Q101认证，确保在-55°C至175°C的极端温度下稳定工作。无论是管理功率分配，还是驱动负载，它都能让您轻松构建出更可靠、更耐用的产品，大幅提升终端应用的性能和寿命。