DMTH10H025SK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？当系统需要在高频切换中保持稳定，同时又要控制成本与空间时，选择一颗性能卓越的MOSFET往往成为决定成败的关键。今天，我们为您带来的DMTH10H025SK3-13，正是这样一款能够彻底改变您设计体验的功率器件。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

想象一下，在汽车电子的严苛环境中，无论是引擎控制单元、LED照明驱动，还是DC-DC转换器，系统都需要在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。DMTH10H025SK3-13凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，为您提供了坚实的保障。其100V的漏源电压和高达46.3A的连续漏极电流，让它在处理大功率负载时游刃有余，而低至23毫欧的导通电阻，则意味着更低的传导损耗和更出色的温升表现，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。这意味着，您的产品不仅能轻松应对汽车启动时的电压浪涌，也能在持续高负载下保持冷静与高效。

将目光转向工业电源、电机驱动或服务器电源领域，快速开关和低栅极电荷是提升频率、减小磁性元件体积的核心。DMTH10H025SK3-13的栅极电荷（Qg）最大值仅为21.4nC，结合其优化的输入电容，使得驱动更加容易，开关速度更快，从而显著降低开关损耗。这对于追求高功率密度和高效能的现代电源设计而言，无疑是巨大的优势。选择它，就是选择了一种更简洁、更高效的电源架构，让您的设计在性能与成本之间找到最佳平衡点。

那么，在众多同类产品中，为何最终锁定DMTH10H025SK3-13？答案在于它卓越的综合价值。它采用了成熟的TO-252（D-Pak）封装，在提供出色散热能力的同时，兼顾了PCB布局的便利性。其宽广的工作温度范围和稳健的电气参数，确保了在各种应用场景下的高可靠性。更重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道获取，您不仅能获得100%原装正品的质量保证，还能得到及时的技术支持和供应链保障，让您的项目从研发到量产全程无忧。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的产品注入了一份持久的动力与信心。

• 型号:DMTH10H025SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能同时征服高效能与高可靠性的功率开关吗？DMTH10H025SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和46.3A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至175°C，无论是汽车电子中的动力系统，还是工业应用里的电机驱动，都能轻松应对。其优化的栅极电荷（21.4nC）让开关速度更快，损耗更低，助您轻松实现高频率、高功率密度的电源设计。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。