DMTH10H025LPSQ-13

在追求极致效率的电源设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能在高频开关中保持低温、在严苛环境下稳定运行的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能。今天，我们向您隆重介绍这款专为应对挑战而生的解决方案DMTH10H025LPSQ-13。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统可靠性、迈向更高能效的得力伙伴。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，拥有100V的漏源电压和高达45A（Tc）的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅23毫欧。这意味着在相同的电流通过时，它产生的热量更少，能量损耗显著降低，直接为您带来更凉爽的运行温度和更长的系统寿命。无论是面对汽车引擎舱内的高温，还是工业设备中的持续负载，它都能游刃有余，其AEC-Q101车规级认证更是品质与可靠性的无声誓言。

它的舞台遍布各个关键应用场景。在汽车电子中，它是DC-DC转换器、电机驱动和LED照明的强大心脏，确保车辆在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定供电。在服务器电源和通讯设备中，其高效的开关特性（栅极电荷仅21nC）能轻松应对高频PWM控制，提升整体电源密度和效率。对于任何需要高效功率切换和管理的设计从电动工具到储能系统，DMTH10H025LPSQ-13都能无缝融入，化身为提升产品竞争力的秘密武器。

选择它，就是选择了一份安心与超越。PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的表面贴装设计还能帮助您节省宝贵的PCB空间。更低的导通损耗直接转化为更高的系统效率，满足日益严苛的能效标准。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队始终是您坚实的后盾。让DMTH10H025LPSQ-13为您的新一代设计注入强劲动力，共同开启高效、可靠的电能管理新纪元。

• 型号:DMTH10H025LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您正在寻找一颗能扛起大电流、应对高电压，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？DMTH10H025LPSQ-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和高达45A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅23毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源系统运行更凉爽、能效更高。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，非常适合空间受限的高密度设计。无论是进行快速的开关切换（栅极电荷低），还是在-55°C至175°C的宽温范围内工作，它都表现出卓越的稳定性。选择它，就是为您的汽车、工业或通信电源应用选择了一个可靠、高效的动力核心，让您轻松应对各种严苛挑战。