DMTH10H015SPSQ-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在100V电压下稳定工作，同时将导通电阻降至惊人的14.5毫欧的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源模块、电机驱动或车载充电器的性能格局？这正是DMTH10H015SPSQ-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体效率、缩小产品体积并增强可靠性的关键引擎。

当我们将目光投向广阔的应用场景，这颗芯片的价值便更加凸显。在新能源汽车的OBC（车载充电机）和DC-DC转换器中，其高达175°C的结温工作能力和AEC-Q101车规认证，意味着它能在严苛的引擎舱环境中稳定运行，确保充电更快、能量转换更高效。在工业自动化领域，驱动伺服电机或BLDC电机时，其极低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更长的设备寿命。而对于紧凑型服务器电源或通信基站电源，PowerDI5060-8的超小型封装让您在有限的PCB空间内实现高功率密度设计，同时高达55W（Tc）的功率耗散能力确保了系统的稳定与冷静。

选择DMTH10H015SPSQ-13，就是选择了一种面向未来的设计自信。它卓越的电气参数如30.1nC的低栅极电荷和优化的开关特性能显著降低驱动电路的负担，让您的开关频率可以设计得更高，从而使用更小的磁性元件，进一步降低成本与体积。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）为您的产品适应全球各种极端气候提供了坚实保障。更重要的是，通过与可靠的DIODES代理合作，您不仅能获得这颗高性能芯片的稳定供应，还能得到专业的技术支持和供应链保障，让您的产品从设计到量产都畅通无阻。它代表的是一种综合解决方案：以更少的能量损耗，实现更强的功率处理能力；以更小的物理尺寸，承载更严苛的应用使命。立即采用DMTH10H015SPSQ-13，让它成为您下一代高性能电子产品中，那个沉默却强大的力量核心。

• 型号:DMTH10H015SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta），50.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关解决方案吗？DMTH10H015SPSQ-13正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和低至14.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小占板面积内实现了高达55W的散热能力，助您轻松实现高功率密度设计。同时，其符合AEC-Q101标准，并支持-55°C至175°C的严苛工作温度，无论是面对车载环境的振动高温，还是工业领域的连续作业，都能确保稳定如一的高性能输出，让您的产品竞争力倍增。