DMTH10H015SPS-13

当您的下一个汽车电子项目面临严苛的能效与可靠性挑战时，您是否在寻找一颗能同时兼顾高性能与高稳定性的功率开关解决方案？答案或许就藏在DMTH10H015SPS-13这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在汽车引擎控制单元、LED驱动或DC-DC转换器的核心位置，这颗芯片正以其高达100V的漏源电压和出色的电流处理能力（在特定条件下可达50.5A）默默工作。其极低的导通电阻（最低仅14.5毫欧）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的续航、更低的系统温升和更高的整体能效。无论是应对-55°C的严寒还是175°C的酷热，其宽广的工作温度范围都确保了性能的始终如一，这正是符合AEC-Q101车规标准的品质承诺，为您的设计注入面对复杂车载环境的强大信心。

选择DMTH10H015SPS-13，就是选择了一种经过验证的可靠性。其PowerDI5060封装不仅优化了散热性能，支持高达55W的功率耗散，紧凑的表面贴装设计也助力您实现更小巧、更集成的PCB布局。快速的开关特性（低栅极电荷）让它在高频应用中游刃有余，而稳健的栅极耐受电压（±20V）则提供了额外的设计余量。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，无疑是确保项目顺利推进、获得原厂级品质保障的明智之举。让这颗集高性能、高可靠性与高能效于一身的芯片，成为您下一款成功产品的坚实基石。

• 型号:DMTH10H015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta），50.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？DMTH10H015SPS-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和卓越的电流驱动能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为汽车级（AEC-Q101）严苛环境打造，从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保其在引擎舱、照明系统等关键部位稳定可靠。采用先进的PowerDI5060封装，散热性能优异，帮助您轻松应对高功率密度设计挑战。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您以更小的体积和更高的可靠性，实现更强大的功率控制。