DMTH10H015LK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？当系统需要在100V高压下承载超过50A的电流时，每一毫欧的导通电阻都意味着宝贵的能量被转化为热量，每一次开关都伴随着效率的折损。现在，这一切有了全新的解决方案让我们向您隆重介绍DMTH10H015LK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为攻克此类挑战而生。

想象一下，在汽车引擎控制单元、车载充电器或DC-DC转换器中，一颗MOSFET需要同时应对高电压、大电流的严苛环境，还要保证在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。DMTH10H015LK3-13凭借其仅为15毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs，20A条件下），能将导通损耗降至极低水平，这意味着更少的发热、更高的系统效率以及更紧凑的散热设计。其高达52.5A的连续漏极电流能力和100V的漏源电压，为您的功率路径提供了坚实可靠的保障，让大功率应用举重若轻。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它隶属于Diodes的汽车级AEC-Q101产品家族，这意味着它从设计、制造到测试，都遵循着汽车行业最严苛的可靠性标准。当您将它应用于新能源汽车的电机驱动、电池管理系统或LED照明驱动时，您获得的不仅是一个高性能的开关器件，更是一份关于长期稳定性和安全性的承诺。其TO-252-4L（DPAK）封装兼顾了优异的散热性能和PCB空间利用率，让高功率密度设计成为可能。

为何在众多选择中，DMTH10H015LK3-13能脱颖而出？因为它精准地平衡了性能、可靠性与成本。较低的栅极电荷（33.3nC）和合理的驱动电压要求（10V达到最佳RdsOn），让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快，整体系统频率可以做得更高。无论是升级现有产品以提升市场竞争力，还是开发面向未来的高能效平台，选择它，就是选择了一条通往更高性能、更可靠设计的捷径。如需获取样品或技术支持，请联系您信赖的DIODES代理商，开启您的高效设计之旅。

• 型号:DMTH10H015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMTH10H015LK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持冷静与高效的“核心引擎”吗？DMTH10H015LK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和52.5A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅15毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率飙升，发热大幅减少。

它专为严苛环境打造，通过AEC-Q101车规认证，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定可靠。采用TO-252-4L封装，易于焊接和散热管理。选择它，意味着您为产品注入了强劲、高效且值得信赖的功率开关解决方案，让您的设计轻松应对高功率挑战。