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DMTH10H013LPDWQ-13
的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMTH10H013LPDWQ-13
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
原厂封装:
封装:PowerDI5060-8(UX 类)
优势价格,DMTH10H013LPDWQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMTH10H013LPDWQ-13的技术资料下载
DMTH10H013LPDWQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
型号:DMTH10H013LPDWQ-13
品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
封装:PowerDI5060-8(UX 类)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 个 N 沟道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):26.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1853pF @ 50V
功率 - 最大值:2.8W (Ta), 68W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PowerDI5060-8(UX 类)
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