DMTH10H010SCT

想象一下，当您的电源转换系统需要处理高达100A的电流时，是否曾为开关器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？这正是DMTH10H010SCT大显身手的舞台。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、释放设计潜能的强力引擎。其核心优势在于极低的导通电阻在10V驱动下，仅需9.5毫欧的Rds(on)值，这意味着在承载大电流时，芯片自身的功耗损耗被降至极低，宝贵的电能被更多地用于驱动负载，而非转化为无谓的热量，直接为您带来更低的运行成本和更高的系统可靠性。

这种卓越的性能，让DMTH10H010SCT在众多高要求的应用场景中游刃有余。无论是服务器和数据中心里要求严苛的开关电源（SMPS），还是工业自动化设备中驱动电机和电磁阀的功率模块，甚至是不断追求更长续航和更快充电的新能源汽车车载充电器（OBO）与直流-直流转换器，它都能稳定担当高效开关的核心角色。其100V的漏源电压和100A的连续漏极电流能力，为工程师提供了宽裕的设计余量，确保系统即使在最恶劣的工况下也能稳定运行。而TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能与成熟的安装工艺，让从原型设计到批量生产都变得顺畅无阻。

选择DMTH10H010SCT，就是选择了一份经得起考验的性能承诺。它能在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，适应从严寒到酷热的各类环境挑战。极低的栅极电荷（Qg）特性，意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源设计在效率曲线上再攀新高。当您寻求一个能同时满足高效率、高可靠性和高性价比的功率开关解决方案时，DMTH10H010SCT无疑是那个值得信赖的答案。如需获取详细的技术支持与供货保障，我们的合作伙伴专业的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意从蓝图变为现实。

• 型号:DMTH10H010SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取DMTH10H010SCT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率转换系统的效率提升而苦苦寻觅关键器件吗？DMTH10H010SCT正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的100V/100A N沟道MOSFET，凭借其惊人的9.5毫欧超低导通电阻，能显著降低您在开关电源、电机驱动或DC-DC转换应用中的导通损耗，直接将更多的电能高效输送给负载，让您的产品运行更凉爽、能效更出众。

它不仅仅关注静态性能，更优化了动态表现。极低的栅极电荷让开关速度更快，有效削减开关损耗，尤其适合高频工作场景。TO-220AB封装提供了强大的散热能力，确保芯片在重载下也能稳定发挥。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏，轻松应对严苛的功率挑战。