DMTH10H010LCTB-13

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，需要一颗能在严苛环境下稳定输出、同时保持极低损耗的核心开关器件。这正是DMTH10H010LCTB-13诞生的意义。它不仅仅是一个参数表上的数字，更是Diodes Incorporated为追求极致效率与可靠性的工程师们准备的一份高性能解决方案。这颗通过AEC-Q101车规认证的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和高达108A的连续漏极电流承载能力，为您的设计注入了澎湃而稳定的动力源泉，让系统在面对高负载冲击时依然从容不迫。

它的身影，注定活跃在那些对性能和寿命要求极高的前沿领域。无论是电动汽车的OBC（车载充电器）和DC-DC转换模块，还是工业自动化中驱动大功率伺服电机和变频器的核心电路，甚至是不断追求更高功率密度的服务器电源和通信基站电源，DMTH10H010LCTB-13都能凭借其卓越的电气特性大显身手。在高温的引擎舱内，在7x24小时不间断运行的机房中，它那低至9.5毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统整体效率和更长的续航时间。而宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了产品无与伦比的环境适应性和长期可靠性，让您的终端产品在各种极端气候下都能稳定运行，赢得市场口碑。

选择DMTH10H010LCTB-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它平衡了高性能与高可靠性，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，显著降低了开关损耗，同时简化了驱动电路的设计难度。这意味着您可以用更少的散热投入，获得更大的功率输出，有效控制BOM成本和产品体积。对于重视供应链稳定与品质保障的客户，通过我们这样的DIODES一级代理进行采购，不仅能确保获得原厂正品，还能享受到专业的技术支持和有竞争力的交期服务。将这颗集成了先进技术与车规级品质的MOSFET纳入您的物料清单，无疑是提升产品核心竞争力、抢占市场先机的明智之举。让它成为您下一个明星产品的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:DMTH10H010LCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和简化设计需求的功率开关而烦恼吗？DMTH10H010LCTB-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和108A的强大电流处理能力，其核心魅力在于低至9.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升终端产品的能效表现。

它不仅仅参数亮眼，更具备车规级AEC-Q101认证的坚实内核。这意味着它能够轻松应对-55°C到175°C的严酷温度挑战，确保在汽车电子、工业控制等要求极高的应用中稳定工作，极大延长产品寿命。其优化的动态特性（如栅极电荷）让开关速度更快、损耗更低，从而让您能够设计出更紧凑、更可靠的电路，简化散热设计，最终加快您的产品上市速度。