DMTH10H010LCT

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当电流高达108A的应用场景摆在面前，传统的功率器件往往力不从心，导致系统效率低下、体积笨重。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出DMTH10H010LCT，一款专为高功率、高效率而生的N沟道MOSFET，它将以其卓越的性能，成为您下一代电源设计中的核心动力引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或大功率DC-DC转换器中，电流如洪流般奔涌。DMTH10H010LCT正是为此而生，其100V的漏源电压和高达108A的连续漏极电流承载能力，为系统提供了坚实可靠的基础。更令人振奋的是，它在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）低至惊人的9.5毫欧。这意味着在电流通过时，产生的热量损耗被大幅削减，您的设备不仅能运行得更“冷静”，更能将宝贵的电能更多地用于实际做功，直接提升整机效率并简化散热设计。无论是面对严苛的工业环境还是追求静音高效的消费类产品，它都能游刃有余。

选择DMTH10H010LCT，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它不仅仅是一个开关，更是一个效率倍增器。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关特性，这对于高频开关电源而言至关重要，能显著降低开关损耗，提升功率密度。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了它无与伦比的环境适应性和可靠性。采用经典的TO-220AB封装，它既保证了强大的功率耗散能力（Tc条件下高达166W），又兼顾了工程师熟悉的安装与散热处理方式，让升级换代无缝衔接。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，我们的官方DIODES代理网络随时为您提供从选型到量产的全方位服务。

因此，当您的设计目标指向更高效率、更小体积和更强可靠性时，DMTH10H010LCT无疑是您的不二之选。它承载着Diodes Incorporated尖端的技术结晶，旨在帮助您突破性能瓶颈，将产品竞争力提升到一个全新的高度。立即采用它，为您的高功率应用注入一颗强劲而高效的“芯”。

• 型号:DMTH10H010LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“硬核”功率开关吗？DMTH10H010LCT正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和108A的强大电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅9.5毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它具备优异的开关特性，栅极电荷和输入电容经过优化，助力您轻松实现高频高效的能量转换。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代高密度电源，DMTH10H010LCT都能让您轻松应对挑战，是工程师实现高性能、高可靠性设计的得力伙伴。