DMTH10H005LCT

在追求极致能效的电力电子世界，您是否曾为系统损耗而困扰？当传统功率器件成为性能瓶颈，DMTH10H005LCT的出现，正以其革命性的低导通电阻和强悍的电流承载能力，重新定义中高功率应用的效率标准。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电器）中，每一次电能转换都伴随着能量损耗。而DMTH10H005LCT凭借仅5毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），能将传导损耗降至极低水平，这意味着更少的发热、更高的充电效率，以及更长的续航里程潜力。同样，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高密度服务器电源中，它140A的连续漏极电流能力和100V的耐压，为系统提供了坚实可靠的功率开关核心，确保在大电流工况下依然稳定如山，从容应对瞬时冲击。

选择DMTH10H005LCT，就是选择了一份面向未来的保障。它隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，从-55°C到150°C的宽工作结温范围，使其无惧严寒酷暑与严苛的车规环境振动，可靠性经过千锤百炼。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，让您的生产导入轻松便捷。无论是升级现有设计还是开发新一代高效能产品，它都能让您的方案脱颖而出。如果您正在寻找可靠的高性能功率解决方案，专业的DIODES芯片代理将是您获取正品货源与技术支持的得力伙伴。

归根结底，在功率转换的赛道上，效率每提升一个百分点都意义非凡。DMTH10H005LCT以其卓越的电气特性与工业级的坚固品质，不仅解决了当下的性能痛点，更以面向汽车电子的高可靠性，为您的产品注入了穿越周期的耐久力。让它成为您下一个明星产品的“动力心脏”，共同开启高效、可靠的电能驾驭新时代。

• 型号:DMTH10H005LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3688 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为功率开关的损耗和温升烦恼吗？DMTH10H005LCT正是为您而来的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的140A连续电流处理能力和低至5毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，提升整体能效，让热量管理变得更轻松。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子、工业驱动等高要求应用中稳定可靠。无论是用于电机控制、电源转换还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更紧凑，性能表现始终如一。