DMT8012LK3-13

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统稳定性而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重推出DMT8012LK3-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为打破性能天花板而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。凭借其80V的漏源电压和高达44A的连续漏极电流承载能力，它为高功率密度应用注入了澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、新能源车载充电器（OBC）或高功率DC-DC转换模块中，每一次开关动作都要求迅捷、精准且损耗极低。DMT8012LK3-13正是为此类严苛场景量身打造。其低至17毫欧的导通电阻（在10V Vgs，12A条件下），意味着更小的导通损耗和更低的发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。TO-252（DPAK）封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，让大规模制造既高效又可靠。

选择DMT8012LK3-13，就是选择了一份经得起考验的卓越性能与安心保障。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了其在极端环境下的稳定运行，而优化的栅极电荷（Qg）特性则显著降低了驱动损耗，让您的开关电源设计在追求高频高效的道路上再无后顾之忧。这一切卓越表现的背后，是Diodes Incorporated强大的技术底蕴与品质管控。为确保您能获得100%原装正品与及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方指定的DIODES授权代理进行采购。立即将DMT8012LK3-13融入您的下一个设计，亲身感受它如何以卓越的电气性能和可靠性，为您的产品赋予决定性的市场优势。

• 型号:DMT8012LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 44A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能同时驾驭高功率与高效率的“心脏”吗？DMT8012LK3-13就是您期待的答案。这颗80V/44A的N沟道MOSFET，以其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关特性，专门为您解决电源转换中的损耗与发热难题，让您的系统运行更凉、更静、能效更高。

它能让您轻松应对服务器电源、电机驱动、车载充电等高要求场景。优异的TO-252封装确保了强大的散热能力，而宽泛的工作温度范围则提供了从严寒到酷暑的稳定保障。选择DMT8012LK3-13，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠的能量控制核心，助您轻松实现设计目标，赢得市场先机。