DMT68M8LSS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高功率密度与卓越热性能的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。现在，答案就在DMT68M8LSS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压能力和高达28.9A的连续漏极电流，为您打开了高效能、高可靠性应用的大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的核心引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高要求的车载充电系统，DMT68M8LSS-13都能游刃有余。其低至8.5毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在导通状态下极低的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。在空间紧凑的模块化设计中，其8-SO封装形式让布局更加灵活，而宽广的-55°C至150°C工作结温范围，则确保了它在严苛环境下依然稳定如山，让您的产品无惧挑战，从容应对各种复杂工况。

选择DMT68M8LSS-13，就是选择了一份安心的保障和显著的性能提升。它优异的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了整个开关周期的效率。这意味着您的系统可以跑得更快、更凉、更持久。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗强大的“心脏”为您的下一个创新项目注入澎湃动力，共同定义能效新标准。

• 型号:DMT68M8LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2107 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMT68M8LSS-13 N沟道MOSFET正是为您而来。它凭借60V的漏源电压和28.9A的强大电流处理能力，让您在设计高功率密度电源、电机驱动或负载开关时信心倍增。

这颗芯片能为您做什么？它用低至8.5毫欧的导通电阻，大幅削减导通损耗，让系统运行更凉爽、效率更高。其优化的栅极特性让驱动设计变得轻松，助您实现更快的开关频率和更简洁的电路布局。选择它，就是选择了一条通往更高性能、更可靠设计的捷径。