DMT68M8LFV-7

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色热管理能力的MOSFET而苦恼？现在，答案已经揭晓DMT68M8LFV-7正是您期待已久的解决方案。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其60V的漏源电压和高达54.1A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关元件，更是您系统实现高效、可靠运行的能量枢纽。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或电池保护电路中，DMT68M8LFV-7正默默发挥着核心作用。其低至9.5毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在传导大电流时产生的热量损耗被降至极低，直接提升了整机效率并简化了散热设计。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的伺服驱动器，还是新能源领域对效率锱铢必较的太阳能逆变器，甚至是消费电子中追求轻薄长续航的快充电路，这颗芯片都能游刃有余，确保能量以最小的损失进行精准控制和传递。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是赋予了产品应对严苛环境的卓越可靠性。

选择DMT68M8LFV-7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在紧凑的占板面积内实现了高达41.7W（Tc）的功率耗散能力，让您的PCB布局更加灵活，产品设计更趋小型化。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，让高频开关应用运行得更快、更凉爽。如果您正在寻找可靠的供应链伙伴，专业的DIODES芯片代理能够为您提供从技术选型到批量供应的全方位支持，确保您的项目从原型到量产一路畅通。让DMT68M8LFV-7成为您下一个明星产品的“强力心脏”，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:DMT68M8LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2078 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMT68M8LFV-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要处理数十安培电流的电源或电机控制方案吗？DMT68M8LFV-7正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它能轻松担当系统主功率开关的角色，以极低的导通电阻（仅9.5毫欧）大幅减少导通损耗，让您的设备效率显著提升，运行温度更低。

这颗芯片能在高达60V的电压下稳定工作，持续通过54.1A的强大电流，并兼容标准的4.5V-10V驱动电压，让您的驱动电路设计更简单。其坚固的PowerDI3333-8封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在各种严苛应用中都能保持高效可靠的性能，是您打造耐用、高效电力系统的理想选择。