DMT68M8LFV-13

想象一下，当您的电源管理系统需要在严苛环境下稳定输出大功率时，一颗MOSFET的性能将如何决定整个产品的成败？这正是DMT68M8LFV-13诞生的意义它不仅仅是一个电子元件，更是您高可靠性设计的基石。凭借60V的漏源电压和高达54.1A的连续漏极电流承载能力，这颗N沟道MOSFET在同类产品中脱颖而出，为您的高功率应用提供了坚实的保障。其极低的导通电阻（仅9.5毫欧@10V）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。

无论是工业自动化中的电机驱动、服务器电源的同步整流，还是新能源车车载充电器(OBC)和LED照明驱动，DMT68M8LFV-13都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，在恶劣环境中依然保持稳定性能。PowerDI3333-8的紧凑封装设计，在提供强大散热能力（Tc下功率耗散高达41.7W）的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的布局设计更加灵活高效。选择它，就是为您的产品选择了一份从容应对各种挑战的底气。

为什么众多工程师在关键设计中信赖DMT68M8LFV-13？答案在于其卓越的性能与可靠性的完美平衡。它优化了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度，从而提升整体系统的响应频率和动态性能。这意味着您的电源转换器可以实现更高的工作频率，进而使用更小的外围磁性元件，降低系统成本和体积。从原型设计到批量生产，这颗芯片的一致性表现都令人印象深刻。为确保您获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购。选择DMT68M8LFV-13，不仅是选择了一个组件，更是选择了一个能提升您产品核心竞争力、让市场脱颖而出的强大伙伴。

• 型号:DMT68M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2078 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗能兼顾高效率、高可靠性与紧凑尺寸的功率开关管而烦恼吗？DMT68M8LFV-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/54.1A的强悍规格，其核心价值在于让您的电源设计轻松实现更低的导通损耗和更高的功率密度。

它通过极低的Rds(on)（仅9.5毫欧）显著减少发热，提升系统能效；优化的开关特性（Qg仅30nC）让您能够设计出频率更高、响应更快的电路。无论是用于DC-DC转换、电机控制还是负载开关，它都能让您的产品运行更稳定、更高效，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。