DMT67M8LPSW-13

当您需要一款能在严苛环境下稳定输出强劲动力的功率开关时，您会如何选择？答案就藏在DMT67M8LPSW-13这颗卓越的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、增强产品可靠性的关键引擎。凭借其高达60V的漏源电压和惊人的82A（Tc）连续漏极电流能力，它能够轻松驾驭高功率应用，将能量损耗降至最低，让您的设计从一开始就站在性能的制高点上。

想象一下，在工业自动化设备的电机驱动模块中，它如何以极低的6.2毫欧导通电阻，确保动力传输的每一分能量都物尽其用；在数据中心服务器电源或高密度通信设备的DC-DC转换电路中，其优异的开关特性和高达150°C的结温工作能力，保障了系统在长时间、高负荷运行下的绝对稳定。无论是新能源车的车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS），还是消费电子中的快速充电设备，DMT67M8LPSW-13都能以其强大的电流处理能力和高效的功率转换，成为您核心电路板上最值得信赖的“能量守门员”。

选择它，就是选择了一份从容与自信。其仅需4.5V的低栅极驱动电压，让您能够轻松兼容主流控制芯片，简化驱动电路设计。超低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接提升了系统的整体能效和响应速度。在追求小型化的今天，其表面贴装封装完美契合高密度PCB布局的需求。更重要的是，当您通过正规的DIODES授权代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是原厂品质保证和稳定供货，更是从设计到量产的全周期技术支持，让您的产品创新之路再无后顾之忧。让DMT67M8LPSW-13的强大性能，成为您产品在市场竞争中最坚实的底气。

• 型号:DMT67M8LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.3A（Ta），82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率转换电路的效率瓶颈和发热问题烦恼吗？DMT67M8LPSW-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，集60V耐压、高达82A的峰值电流承载能力于一身，其核心价值在于能以低至6.2毫欧的导通电阻，让大电流通过时的能量损耗锐减，直接为您提升系统能效，降低温升。

它能让您的电源设计更高效、更紧凑。优异的开关特性（低Qg，低Ciss）配合宽泛的驱动电压范围，让您轻松实现高速、低损耗的功率切换，无论是同步整流、电机驱动还是负载开关应用，都能游刃有余。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，确保动力澎湃且持久稳定。