DMT6030LFDF-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？是时候拥抱一个更高效、更可靠的解决方案了。我们隆重推出DMT6030LFDF-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器或电机驱动模块中，每一瓦的功率损耗都意味着额外的热量和能源浪费。DMT6030LFDF-13凭借其低至25.5mΩ的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，让电能更顺畅地传递。高达60V的漏源电压和6.8A的连续电流能力，赋予了它应对各种严苛负载的底气。无论是服务器电源、工业自动化设备，还是消费类电子产品的负载开关，它都能游刃有余，确保系统稳定高效运行。

选择DMT6030LFDF-13，意味着您选择了一种面向未来的设计思路。其超低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关速度极快，进一步减少了开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。表面贴装的U-DFN2020-6封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的热性能（Tc下功率耗散高达9.62W）更能确保芯片在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的DIODES代理团队随时待命，为您从选型到量产提供一站式服务。让这颗高效能的MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石。

• 型号:DMT6030LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25.5mOhm @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:860mW（Ta），9.62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 想获取DMT6030LFDF-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的MOSFET吗？DMT6030LFDF-13就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和6.8A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能大幅减少功率损耗，直接提升您的电源转换或电机驱动效率。

它专为 demanding 应用而优化。快速的开关特性让您轻松驾驭高频电路设计，而紧凑的U-DFN封装则为您节省宝贵的板级空间。无论是应对工业环境的严酷考验，还是满足消费电子产品对能效的苛刻要求，它都能让您的设计更高效、更可靠。