DMT6004SCT

当您的电源转换系统需要处理大电流却受困于效率瓶颈时，解决方案在哪里？答案或许就藏在这颗性能强悍的功率开关器件之中。我们隆重向您介绍DMT6004SCT，一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键引擎。其高达100A的连续漏极电流承载能力和低至3.65毫欧的超低导通电阻，意味着在激烈的能量传输过程中，它能将损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率DC-DC转换器或新能源车载充电设备中，稳定与高效是永恒的追求。DMT6004SCT正是为此类严苛应用而生。其60V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对复杂工况和恶劣环境的卓越鲁棒性。无论是应对瞬间的电流冲击，还是在持续高负载下稳定运行，它都能游刃有余，确保您的终端设备动力澎湃且持久可靠。选择它，就是为您的核心动力系统注入了值得信赖的“强心剂”。

那么，在众多同类产品中，为何独独青睐DMT6004SCT？理由清晰而有力。首先，其极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得更为高效和轻松，直接助力于提升系统整体能效。其次，经典的TO-220-3封装不仅提供了优异的散热路径，也兼容广泛的生产与安装工艺，极大简化了您的设计导入流程。更重要的是，当您通过正规的DIODES一级代理渠道获取此产品时，您获得的不仅是原装正品的品质保证，还有稳定的供货支持和专业的技术服务，这无疑为您的项目成功上了双重保险。让DMT6004SCT成为您下一个明星产品的力量核心，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:DMT6004SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.65 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取DMT6004SCT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关而烦恼吗？DMT6004SCT就是您期待的答案。这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和惊人的100A连续电流处理能力，其核心魅力在于低至3.65毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，直接为您提升系统能效，让电能利用更加充分。

它专为 demanding 应用而设计。无论是构建高效的同步整流电路、驱动强劲的电机，还是打造紧凑型高功率密度电源，DMT6004SCT都能让您游刃有余。其优化的开关特性（低栅极电荷）有助于减少开关损耗，提升频率响应；同时，宽广的工作温度范围和TO-220-3封装带来的出色散热能力，确保了它在各种严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的可靠保障。