DMT47M2SFVWQ-13

想象一下，在您的下一代汽车电子或工业电源设计中，如何将功率损耗再降低30%，同时确保在-55°C到150°C的严苛环境下依然稳定如山？答案就隐藏在DMT47M2SFVWQ-13这颗卓越的功率开关之中。作为Diodes Incorporated旗下通过AEC-Q101车规认证的明星产品，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您实现高效能、高可靠性设计的秘密武器。

当您面对需要高电流承载与快速开关的应用时，例如DC-DC转换器、电机驱动或负载开关，DMT47M2SFVWQ-13展现出了令人惊叹的实力。其低至7.5毫欧的导通电阻，意味着在20A的大电流下，由导通损耗产生的热量被大幅削减，系统整体效率得到显著提升。高达49.1A（Tc）的连续漏极电流能力，赋予了它驱动重型负载的底气，让您的产品在面对峰值功率需求时游刃有余。而紧凑的PowerDI3333-8封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热性能更能确保芯片在长时间高负荷工作中保持冷静。

选择DMT47M2SFVWQ-13，就是选择了一份从容与安心。它专为汽车电子和恶劣工业环境而生，从车载信息娱乐系统的电源管理到工厂自动化设备的电机控制，这颗芯片都能提供坚如磐石的性能。其极低的栅极电荷（12.1nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，这对于追求高频高效的现代开关电源设计至关重要。无论您是在设计一款需要极致能效的电动汽车充电模块，还是一台要求7x24小时不间断运行的服务器电源，它都能成为您电路中的核心支柱。如果您正在寻找可靠的技术伙伴，专业的DIODES芯片代理将为您提供从选型到量产的全方位支持。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的差异化往往取决于这些核心器件的选择。DMT47M2SFVWQ-13以其卓越的电气性能、车规级的品质保证和出色的热管理能力，为您提供了一个超越竞争对手的绝佳机会。它不仅仅是在参数表上胜出，更是在实际应用中为您带来更长的产品寿命、更高的系统稳定性以及最终用户的极致体验。现在，就让这颗强大的“引擎”驱动您的创意，驶向成功的快车道。

• 型号:DMT47M2SFVWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗既能承受大电流、又具备超低导通损耗的可靠MOSFET而烦恼吗？DMT47M2SFVWQ-13正是为您量身打造的解决方案。这颗40V N沟道功率MOSFET，拥有低至7.5毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率，让您的电源或电机驱动设计更加节能、冷静。

它能让您轻松应对严苛环境。通过AEC-Q101车规认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子或工业应用中的高可靠性。同时，其优化的栅极电荷和快速开关特性，让您能够设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑，高效实现功率转换与控制。