DMT47M2LDVQ-7

在追求极致效率与可靠性的汽车电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受严苛环境，又能提供强劲驱动力的双通道MOSFET而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMT47M2LDVQ-7，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，专为满足汽车级AEC-Q101标准而生，将为您的高性能应用注入澎湃动力。

想象一下，在您的下一代车身控制模块、LED驱动或电机驱动电路中，一颗芯片就能提供高达40V的耐压和超过30A的连续电流承载能力。这不仅仅是参数的堆砌，更是设计自由度的极大拓展。其极低的10.8毫欧导通电阻，意味着在20A的大电流下，导通损耗被大幅削减，系统整体效率显著提升，热量自然也更少。更令人振奋的是，它采用了先进的PowerDI333封装，在极小的占板面积内集成了两个独立的N沟道MOSFET，让您的PCB布局更加紧凑、优雅，轻松应对空间受限的现代电子设计挑战。

从引擎盖下的高温环境到冬季严寒的启动瞬间，DMT47M2LDVQ-7都能从容应对。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了在极端温度下的稳定性和长寿命。无论是用于驱动继电器、螺线管，还是作为负载开关或DC-DC转换器中的同步整流管，它都能提供快速、干净的开关性能，这得益于其优化的栅极电荷和输入电容。选择它，就是为您的产品选择了一份贯穿整个生命周期的可靠性保障。我们作为值得信赖的DIODES一级代理，不仅确保您能获得原装正品和稳定的供货支持，更能提供专业的技术选型指导，让您的产品从设计之初就赢在起跑线上。

当市场上同类产品还在为平衡性能与尺寸而妥协时，DMT47M2LDVQ-7已经实现了鱼与熊掌的兼得。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的战略伙伴。其卓越的电气特性、汽车级的品质认证以及小巧高效的封装，共同构成了无可挑剔的选型理由。立即采用它，您将亲身体验到系统效率的飞跃、散热设计的简化以及整体BOM成本的优化。让我们携手，用这颗强大的芯片，驱动您的创新，驶向更广阔的市场蓝海。

• 型号:DMT47M2LDVQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题头疼吗？让DMT47M2LDVQ-7为您带来一站式高效解决方案！这颗双N沟道MOSFET阵列，集卓越性能与微型封装于一身，能轻松胜任您项目中各种开关与驱动任务。

它拥有高达40V的漏源电压和30.2A的强劲连续电流输出能力，同时导通电阻低至惊人的10.8毫欧，这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其极低的栅极电荷确保了快速的开关速度，显著提升整体响应效率。无论是用于汽车电子中的电机控制、LED照明驱动，还是工业电源管理，它都能让您的设计更紧凑、性能更可靠。

采用符合AEC-Q101标准的汽车级工艺制造，并工作在-55°C至150°C的宽温范围，DMT47M2LDVQ-7为您提供的是超越寻常的耐久性和稳定性。选择它，就是为您的产品选择了经得起时间考验的核心动力。