DMT47M2LDV-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或电机驱动方案，是否还在为功率密度与散热性能的平衡而苦恼？答案或许就藏在DMT47M2LDV-7这颗双N沟道MOSFET阵列之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以其卓越的性能参数，为高效、可靠的系统运行铺平道路。

想象一下，在空间受限的无人机电调、高密度服务器电源模块或是便携式电动工具中，每一立方毫米都价值连城。DMT47M2LDV-7采用的先进PowerDI333封装，将双通道MOSFET集成于极致紧凑的8-PowerVDFN外形中，大幅节省了宝贵的PCB面积。更令人振奋的是，其超低的10.8毫欧导通电阻（最大值），配合高达30.2A（Tc）的连续漏极电流能力，意味着在开关和传导过程中，能量损耗被降至极低水平。这不仅直接提升了整体系统效率，更显著降低了热负荷，让您的设备运行更凉爽、更持久。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，则确保了它在严苛环境下依然稳定如山，无论是炎夏还是寒冬，性能始终如一。

这颗芯片的价值，在各类同步整流、DC-DC转换器、电机驱动及负载开关应用中得以完美释放。它能让您的快充适配器实现更高的功率密度和更快的充电速度；也能让您的机器人关节驱动更精准、响应更迅速；在车载电子系统中，它同样能提供稳健的电源分配与保护。选择DMT47M2LDV-7，就是选择了一种以技术驱动价值的理念。它不仅仅满足了您对高电流处理、低损耗和迷你封装的需求，更是您打造下一代高性能、高可靠性电子产品的信心保障。当您需要可靠的原厂支持与供货保障时，专业的DIODES代理商将是您值得信赖的合作伙伴，助您将这颗强大芯片的潜力，转化为产品的市场优势。

• 型号:DMT47M2LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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还在为电路板上的空间和散热发愁吗？DMT47M2LDV-7双N沟道MOSFET阵列正是为您的高效紧凑型设计而来。它集成了两个性能强劲的MOSFET通道，凭借仅10.8毫欧的超低导通电阻和高达30.2A的电流处理能力，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉快、更节能。

这颗芯片采用先进的PowerDI333（8-PowerVDFN）封装，在极致节省PCB面积的同时，提供了卓越的散热性能。其低至14nC的栅极电荷和高达40V的漏源电压，确保开关速度快、驱动简单且安全可靠。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是电机控制，DMT47M2LDV-7都能让您轻松实现高效率、高功率密度的设计目标，助力您的产品在竞争中脱颖而出。