DMT47M2LDV-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为效率与体积的平衡而妥协？想象一下，一颗集高电流承载与超低导通损耗于一身的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMT47M2LDV-13。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其40V的漏源电压和高达30.2A（Tc）的连续漏极电流能力，为您打开了高效功率转换的新大门。其核心魅力在于，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、实现紧凑化设计的战略支点。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流环节，还是电动工具、无人机电池管理系统（BMS）中需要快速响应的负载开关，DMT47M2LDV-13都能游刃有余。在车载充电器（OBC）或DC-DC转换器中，其低至10.8毫欧的导通电阻意味着更少的热量产生和更高的能源利用率，直接转化为更长的续航和更低的运营成本。其坚固的POWERDI333封装和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了即使在恶劣环境下也能稳定可靠地运行，让您的产品无惧挑战。

选择DMT47M2LDV-13，就是选择了一种经过验证的高可靠性解决方案。它将卓越的电气性能与先进的封装技术完美结合，让您在应对高功率密度设计时信心倍增。更低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，进一步优化了高频应用的效率。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，请务必认准官方授权的DIODES代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用DMT47M2LDV-13，不仅仅是升级一个元件，更是为您的下一代产品注入强大的竞争内核，在效率与可靠性的赛道上领先一步。

• 型号:DMT47M2LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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还在寻找能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？DMT47M2LDV-13双N沟道MOSFET阵列正是为您而来的解决方案。它拥有40V的耐压和高达30.2A（Tc）的电流处理能力，而其核心优势在于极低的10.8毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现紧凑而强大的电路设计。其快速的开关特性（低栅极电荷）和优异的导热封装（POWERDI333），确保在高频工作和严苛温度下（-55°C至150°C）依然稳定可靠。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，DMT47M2LDV-13都是助您优化产品性能、赢得市场的得力伙伴。