DMT4011LFG-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出DMT4011LFG-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为打破这一瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在汽车电子、工业电源或高密度服务器电源模块中，一个仅需极小驱动电压就能爆发出强大电流控制能力的开关器件意味着什么。DMT4011LFG-13以其低至11毫欧的导通电阻和高达30A的连续漏极电流，让能量传输过程中的损耗降至冰点，直接将效率提升到一个全新高度。其PowerDI3333封装在提供卓越散热性能的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加游刃有余。无论是应对严苛的汽车级AEC-Q101标准，还是在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，它都展现出无与伦比的可靠性，确保您的系统在任何环境下都坚如磐石。

选择DMT4011LFG-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它让工程师从复杂的散热设计和效率妥协中解放出来，将更多精力投入到核心功能的创新上。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了高速开关下的低损耗与低电磁干扰，为打造安静、高效的电源系统铺平道路。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES代理商网络随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。别再让平庸的器件限制您的想象力，立即采用DMT4011LFG-13，开启高效、紧凑、可靠的产品新纪元，让每一次开关都成为驱动成功的澎湃动力。

• 型号:DMT4011LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:15.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMT4011LFG-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能同时兼顾高功率、低损耗与超小体积的“全能型”开关吗？DMT4011LFG-13正是您期待的答案。这颗40V/30A的N沟道MOSFET，凭借其低至11毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行更凉爽、效率更高，直接助力提升终端产品的续航与性能表现。

它采用先进的PowerDI3333封装，在提供出色散热能力的同时，极大节省了电路板空间，特别适合对空间和热管理有严苛要求的汽车电子及高密度电源设计。其符合AEC-Q101标准，并拥有宽广的工作温度范围，确保在各种恶劣环境下稳定工作，让您的设计无后顾之忧。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。