DMT4003SCT

当您的电源转换系统需要处理高达205A的连续电流时，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMT4003SCT，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛的高电流挑战而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、降低整体成本、实现设计自由度的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的堆积。DMT4003SCT凭借其惊人的低导通电阻在90A电流、10V驱动下仅3毫欧，将导通损耗降至极低水平。这意味着更多的电能被高效传输，更少的热量需要被耗散，您的散热系统设计可以更简洁，系统可靠性却得到显著跃升。其高达156W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了它在恶劣环境下稳定运行的强大底气。

选择DMT4003SCT，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它40V的漏源电压和205A的连续漏极电流能力，为您的48V或更低电压总线应用提供了充裕的安全裕量。优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件体积得以缩小。无论是追求极致功率密度的数据中心，还是要求长期稳定运行的工业自动化设备，这颗芯片都能无缝融入，成为动力核心。我们作为专业的DIODES一级代理，不仅提供原装正品，更能为您带来深度的技术支持和灵活的供应链服务，让您的创新之路畅通无阻。

归根结底，在功率电子领域，性能与成本的平衡是永恒的课题。DMT4003SCT以其卓越的电气参数和经典的TO-220AB封装，提供了一个极具竞争力的解决方案。它让您无需在性能上妥协，就能有效控制BOM成本，加速产品上市。当您下一次为高电流应用选型时，请将目光投向它这不仅是更换一个元件，更是为您的整个系统注入高效、可靠与持久的生命力。

• 型号:DMT4003SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):205A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6865 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能扛起大电流重任的“核心开关”吗？DMT4003SCT正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达205A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的3毫欧导通电阻，能显著降低系统导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对服务器电源、工业变频器、大功率转换器等应用场景。优化的栅极特性支持快速开关，有助于提升系统频率和功率密度。同时，其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作，是您构建高性能、高可靠性功率系统的理想选择。