DMT4001LPS-13

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案就在眼前。DMT4001LPS-13的到来，彻底改写了中低压大电流应用的游戏规则。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅1毫欧的超低导通电阻和高达100A的连续漏极电流，为您带来前所未有的高效率与功率密度。它不仅仅是一个开关，更是您释放系统潜能、打造下一代高性能产品的关键钥匙。

想象一下，在您的服务器电源、高密度DC-DC转换器或电动工具电池管理系统中，每一次开关动作都伴随着极低的能量损失。这正是DMT4001LPS-13的用武之地。其卓越的40V耐压和优化的栅极电荷特性，确保了在频繁开关的工况下依然保持冷静与高效，大幅降低系统温升，让您的产品在严苛环境下也能稳定运行，寿命更长。无论是面对工业自动化中的电机驱动，还是消费电子中的快速充电方案，它都能游刃有余，成为您设计中最可靠的动力核心。

选择DMT4001LPS-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小的占板面积内实现了强大的功率处理能力和出色的散热性能，让您的PCB布局更加灵活，产品体积进一步缩小。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）意味着它能适应从寒带到热带的任何环境挑战。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的DIODES一级代理渠道将为您提供全方位的服务保障。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为您的产品注入强劲竞争力和卓越市场口碑的战略决策。立即采用DMT4001LPS-13，开启高效、紧凑、可靠的电源设计新篇章。

• 型号:DMT4001LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12121 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？DMT4001LPS-13就是为您破局而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的1毫欧超低导通电阻，能轻松驾驭高达100A的连续电流，将开关损耗降至最低，让您的电源转换效率实现飞跃式提升。

它采用热增强型PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，更能高效散热，确保系统在高负载下持续稳定运行。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，DMT4001LPS-13都能让您以更小的体积和更低的温升，获得更强大的功率处理能力，助您轻松打造出高效、紧凑且可靠的下一代电子产品。