DMT36M1LPS-13

想象一下，当您的电源管理或电机驱动方案需要处理高达65A的连续电流时，如何确保系统既高效又可靠？答案就藏在DMT36M1LPS-13这颗性能卓越的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、降低热损耗、实现紧凑设计的核心动力引擎。在竞争日益激烈的市场中，选择一款导通电阻低至6毫欧、驱动灵活的功率器件，意味着您的产品将在能效、稳定性和成本控制上赢得显著优势。

这颗芯片天生就是为高要求应用场景而生的。无论是服务器电源中的同步整流、电动工具中强劲的电机驱动，还是车载充电器(OBC)和DC-DC转换器，DMT36M1LPS-13都能游刃有余。其30V的漏源电压和65A的连续电流能力，为12V至24V系统提供了充足的裕量和安全保障。在空间受限的现代电子产品中，其PowerDI5060-8封装展现了巨大的魅力，超小的占板面积让您能在更紧凑的PCB上布局功率路径，同时优异的散热性能确保芯片在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行，让您的设计从容应对各种环境挑战。

那么，在众多MOSFET中为何独独青睐它？关键在于其综合性能带来的直接价值。极低的Rds(on)意味着导通损耗的大幅降低，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，这对于追求能源之星认证或长续航的设备至关重要。同时，优化的栅极电荷(Qg)特性使其开关速度快且驱动简单，既能减少开关损耗，也降低了对驱动电路的要求，让您的电源设计更简洁、更高效。选择DMT36M1LPS-13，就是选择了一份经过验证的可靠性。它来自知名的Diodes Incorporated，并通过专业的DIODES授权代理渠道供应，确保您获得原装正品和及时的技术支持，从源头保障项目进度与产品质量。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品注入强劲竞争力和卓越性能的战略投资。

• 型号:DMT36M1LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1155 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您是否正在寻找一颗能大幅提升功率转换效率、同时简化设计难度的核心开关器件？DMT36M1LPS-13正是您期待的解决方案。作为一款30V/65A的N沟道MOSFET，它凭借低至6毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片让您轻松驾驭高电流应用。其优异的栅极特性（Qg仅16.7nC）确保快速干净的开关动作，减少开关损耗，并简化驱动电路设计。采用先进的PowerDI5060-8封装，它在提供强大功率处理能力的同时，占板面积极小，完美适配对空间有严苛要求的现代紧凑型设计。

无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，DMT36M1LPS-13都能以卓越的电气性能和可靠性，助您打造出更具市场竞争力的高效能产品。