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DMT35M8LDGQ-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
原厂封装：封装:PowerDI3333-8（G 型）
优势价格，DMT35M8LDGQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMT35M8LDGQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMT35M8LDGQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI3333-8（G 型）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），15.3A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V，5.8 毫欧 @ 18A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7nC @ 10V，16.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510pF @ 15V，1032pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:980mW（Ta），2W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerDI3333-8（G 型）
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