DMT34M2LPS-13

想象一下，当您的电源管理方案需要同时兼顾高功率密度与卓越的散热性能时，您会选择怎样的核心器件？答案或许就隐藏在DMT34M2LPS-13这颗性能卓越的MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的关键动力引擎。在当今追求极致效率的电子设计领域，选择一款低导通电阻、高电流承载能力的功率开关，意味着您的产品将在激烈的市场竞争中占据显著的性能制高点。

无论是为高密度服务器电源注入澎湃而稳定的能量，还是在紧凑型车载充电器中实现快速、低温升的电力转换，这颗芯片都能游刃有余。它同样适用于对空间和散热要求严苛的无人机电调、高端笔记本电脑的DC-DC转换模块，或是任何需要高效功率开关的工业控制场景。其出色的性能让您的设计不再受限于传统的热管理和空间布局，为创新打开了更广阔的天地。当您与专业的DIODES芯片代理合作时，不仅能获得这颗可靠的芯片，更能得到从选型到应用的全方位技术支持。

那么，为何众多工程师将DMT34M2LPS-13作为其高端设计的首选？核心在于它精准击中了现代功率设计的痛点。在25°C环境温度下高达21A的连续漏极电流，以及在壳温条件下惊人的100A承载能力，配合PowerDI5060-8封装优异的散热特性，共同构建了无与伦比的功率处理基础。这意味着在相同的电路板面积上，您可以实现更高的功率输出，或者以更小的体积达成相同的性能目标，直接降低了系统的综合成本并提升了可靠性。选择它，就是选择了一种更高效、更紧凑、更可靠的设计哲学，让您的产品从内而外散发出专业与领先的气质。

• 型号:DMT34M2LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2242 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMT34M2LPS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率，同时保持电路板布局简洁紧凑的核心开关器件？DMT34M2LPS-13正是为您而来的解决方案。它集成了高达25V/30V的耐压能力与极低的导通电阻，让您能够轻松驾驭21A（Ta）至100A（Tc）的宽范围连续电流，显著降低导通损耗，提升整体能效。

这颗采用先进PowerDI5060-8表面贴装封装的MOSFET，专为高功率密度应用优化。它不仅能帮助您缩小产品体积，其优异的封装散热特性更能确保系统在高温环境下稳定运行，有效延长设备寿命。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，选择DMT34M2LPS-13，就是为您的设计注入了高效与可靠的双重保障。