DMT3009UFVW-13

想象一下，您的下一个电源设计项目，能否在更小的空间内实现更高的效率与可靠性？这正是DMT3009UFVW-13诞生的使命。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。其卓越的30V漏源电压与高达30A（Tc）的连续漏极电流能力，意味着它能轻松驾驭从消费电子到工业电源的广泛需求，为您带来前所未有的设计自由度与性能保障。

当您面临空间紧凑的便携设备、需要高效散热的服务器电源，或是要求快速响应的电机驱动应用时，DMT3009UFVW-13的价值将得到淋漓尽致的体现。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积下实现了出色的热性能与功率处理能力。其低至11毫欧的导通电阻（最大值），配合仅7.4nC的低栅极电荷，直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的系统效率显著提升，发热量大幅降低，最终为用户带来更长的续航、更稳定的运行和更佳的使用体验。

选择DMT3009UFVW-13，就是选择了一份从容与信心。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定表现，而优化的驱动电压特性（4.5V/10V）使其能与主流控制器完美匹配，简化您的驱动电路设计。无论是升级现有产品还是开发全新平台，这颗芯片都能帮助您缩短研发周期，降低系统总成本。若您正在寻找可靠的技术伙伴与供货支持，DIODES中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让DMT3009UFVW-13成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:DMT3009UFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:894 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗既能承受高电流又具备超低损耗的MOSFET而烦恼吗？DMT3009UFVW-13正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达30A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅11毫欧）和栅极电荷（7.4nC），能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的散热特性确保功率稳定输出。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，DMT3009UFVW-13都能让您轻松实现更高的功率密度和更优的系统性能，是提升产品能效与可靠性的关键之选。