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DMT26M0LDG-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
原厂封装：封装:PowerDI3333-8（F 型）
优势价格，DMT26M0LDG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMT26M0LDG-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMT26M0LDG-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI3333-8（F 型）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta），33.8A（Tc），20.1A（Ta），52.6A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 13A，10V，2 毫欧 @ 27A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A，2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.9nC @ 10V，57.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1010pF @ 13V，4016pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:1.24W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerDI3333-8（F 型）
  • 想获取DMT26M0LDG-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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