DMT2005UDV-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热、空间和效率的平衡而妥协？想象一下，一颗集高电流承载与超低导通损耗于一身的双通道MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMT2005UDV-13为您带来的核心价值它不仅仅是一个组件，更是您产品实现性能飞跃的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的卓越芯片，以其高达50A的连续漏极电流和低至7毫欧的导通电阻，在同类产品中树立了新的标杆。这意味着在服务器电源、高性能显卡的VRM（电压调节模块）、或高密度DC-DC转换器中，它能以更小的能量损耗处理更大的功率，直接将电能转化为澎湃动力，而非恼人的热量。其24V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对严苛工业环境与快速负载波动的非凡韧性，确保从消费电子到通信基础设施，您的应用都能稳定运行，无惧挑战。

选择DMT2005UDV-13，就是选择一种更智能的设计哲学。其创新的PowerDI3333封装，在提供强大散热能力的同时，将占板面积压缩到极致，让您的PCB布局拥有前所未有的自由度，轻松实现更轻薄、更紧凑的终端产品。更低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源频率、缩小无源器件尺寸至关重要。当您与可靠的DIODES芯片代理合作时，您获得的不仅是一颗顶级芯片，更是从技术选型到供应链保障的全方位支持。让DMT2005UDV-13成为您下一个爆款产品的“心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMT2005UDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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还在为电源路径上的效率瓶颈和空间限制而烦恼吗？DMT2005UDV-13双N沟道MOSFET阵列，就是为您破解难题的利器。它能以高达50A的电流和仅7毫欧的超低导通电阻，让您的主板VRM、服务器电源或便携式设备DC-DC电路运行得更凉、更快、更高效，直接将电能损耗降至新低。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333封装，在极致小巧的体积内蕴藏巨大能量，让您的设计轻松实现高功率密度。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围，确保从-55°C到150°C的严酷环境下都能稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了强劲、高效且可靠的核心动力。