DMT2004UFV-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？想象一下，一颗能够同时驾驭70A大电流与超低导通电阻的功率开关，将为您的电源管理和电机驱动方案带来怎样的变革？答案就隐藏在DMT2004UFV-13这颗精密的N沟道MOSFET之中。

它绝不仅仅是一个参数表上的数字。高达70A的连续漏极电流承载能力，配合低至5毫欧的导通电阻，意味着在相同的电流负载下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这种高效转换的核心价值，直接体现在终端产品的续航延长、体积缩小以及系统可靠性的显著提升上。无论是需要快速响应的无人机电调，还是对效率锱铢必较的服务器电源，或是空间紧凑的汽车辅助驱动模块，DMT2004UFV-13都能以其卓越的电气性能，成为系统强劲而稳定的“心脏”。

选择它，就是选择了一种面向未来的设计自信。其2.5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松兼容多种低压控制逻辑，简化了驱动电路的设计。先进的PowerDI3333封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积更是为高密度PCB布局扫清了障碍。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，与专业的DIODES一级代理合作，获取正品DMT2004UFV-13及全面的技术支持，无疑是确保项目成功、加速产品上市的最明智决策。让这颗凝聚尖端技术的MOSFET，成为您下一款明星产品征服市场的秘密武器。

• 型号:DMT2004UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率转换效率的瓶颈而困扰吗？DMT2004UFV-13正是为您突破极限而生的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有24V耐压和高达70A的电流处理能力，其核心魅力在于仅5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333表面贴装封装，兼具出色的散热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的高密度设计。凭借2.5V的低阈值驱动电压，它能轻松被微控制器或逻辑电路直接驱动，简化您的系统设计。无论是提升无人机动力响应、优化服务器电源模块，还是强化车载电子系统的可靠性，DMT2004UFV-13都能以卓越的电气特性，让您轻松实现更高性能、更小体积的设计目标。