DMT2004UFG-13

在追求极致能效的汽车电子与工业控制领域，您是否还在为功率开关器件的选择而权衡取舍？是时候认识一下这颗能够重新定义性能与可靠性的明星产品了DMT2004UFG-13。它不仅仅是一个MOSFET，更是Diodes Incorporated（美台半导体）为严苛应用场景量身打造的能量控制大师，凭借其卓越的电气性能和车规级品质，正成为工程师们实现设计突破的可靠基石。

想象一下，在您的电机驱动、电源管理或负载开关电路中，需要一颗能够瞬间响应、高效导通且发热极低的开关。DMT2004UFG-13正是为此而生。其N沟道设计，在仅2.5V的低驱动电压下即可实现优异的导通性能，最大导通电阻低至惊人的5毫欧（@12A, 10V），这意味着在高达70A的连续电流下，它能将导通损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为有效功，而非令人头疼的热量。这种高效率直接转化为更长的系统续航、更紧凑的散热设计以及更低的整体系统成本。

它的舞台遍布现代电子系统的核心地带。无论是新能源汽车的电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器，还是工业自动化中的电机控制器、机器人关节驱动，甚至是高密度服务器电源，DMT2004UFG-13都能游刃有余。其符合AEC-Q101车规标准，确保了从-55°C到150°C的结温范围内稳定工作，无惧严寒酷暑与道路颠簸的挑战。小巧的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的热性能也让功率密度得以大幅提升，助力您的产品设计更加轻薄、强大。

选择DMT2004UFG-13，就是选择了一份从容与信心。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应如电光火石。同时，其高达±12V的栅源电压容限提供了更强的抗干扰能力，系统鲁棒性显著增强。当您需要可靠的原厂供应链支持与技术保障时，通过权威的DIODES代理进行采购，无疑是确保产品正品、供应稳定并获得专业服务的最佳途径。让这颗集高性能、高可靠性、高集成度于一身的功率器件，成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMT2004UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMT2004UFG-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能兼顾高效率与高可靠性的功率开关吗？DMT2004UFG-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为汽车级（AEC-Q101）和严苛工业应用设计，旨在让您的系统运行得更冷静、更强劲。

它拥有24V的漏源电压和高达70A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻仅5毫欧。这意味着它能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，减少散热负担。同时，其低栅极电荷特性确保了快速的开关响应，让您的控制回路更加敏捷高效。

无论是用于电机驱动、负载开关还是电源转换，DMT2004UFG-13都能凭借其宽温工作范围（-55°C ~ 150°C）和紧凑的PowerDI3333封装，帮助您轻松实现高可靠性、高功率密度的设计目标，让产品竞争力脱颖而出。