DMT15H067SSS-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升整体效率的MOSFET，将如何为您的产品注入强劲的竞争力。现在，答案就在DMT15H067SSS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的67毫欧超低导通电阻（@10V, 4.1A），直接切入高效能应用的核心痛点，让每一次开关都转化为实实在在的性能优势和能耗节约。

无论是紧凑型适配器、PC电源，还是需要精密控制的电机驱动、电池管理系统，DMT15H067SSS-13都能游刃有余。它高达150V的漏源电压和13A（Tc）的连续漏极电流，为设计提供了宽裕的安全余量和强大的负载能力。其极低的栅极电荷（仅6.4nC @10V）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，能有效简化您的驱动电路设计，让系统运行更加迅捷、冷静。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，专业的DIODES代理商将是您获取这颗优质芯片和全面技术支持的有力伙伴。

选择DMT15H067SSS-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与前沿技术的结合。它采用标准的8-SO表面贴装封装，兼容主流生产工艺，能帮助您轻松实现高密度板级设计。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在严苛环境下的稳定表现。从提升产品能效等级到延长设备使用寿命，从优化热管理到增强系统可靠性，这颗芯片的价值贯穿于您产品的整个生命周期。它不仅仅是一个电子元件，更是您打造下一代高效、紧凑、可靠电子设备的秘密武器，立即采用，让您的设计脱颖而出。

• 型号:DMT15H067SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:425 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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您正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、让电机驱动更强劲有力的核心器件吗？DMT15H067SSS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有150V耐压和高达13A（Tc）的电流承载能力，而其最闪耀的亮点在于仅67毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。

同时，其极低的栅极电荷和输入电容特性，让您能轻松实现高速开关，减少驱动损耗，特别适用于高频DC-DC转换器、电机控制等对效率与响应速度要求苛刻的场景。采用紧凑的8-SO封装，它帮助您高效利用PCB空间，打造更小巧、更强大的终端产品。