DMT10H025LK3-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当系统效率每提升1%都意味着巨大的竞争优势时，一颗高性能的功率开关器件就是您制胜的关键。今天，我们向您隆重介绍这款专为严苛应用而生的功率解决方案DMT10H025LK3-13。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的得力助手。

想象一下，在汽车引擎控制单元、车载充电器或DC-DC转换器中，需要一颗能够在高温、高振动环境下稳定可靠工作的“心脏”。DMT10H025LK3-13正是为此而生。它拥有100V的漏源电压和高达47.2A的连续漏极电流能力，轻松应对汽车电子中常见的12V/24V电池系统以及48V轻混系统的浪涌与负载波动。其符合AEC-Q101车规认证的出身，意味着它已经通过了最严格的可靠性测试，从-55°C到150°C的结温范围内都能保持稳定表现，让您的设计无惧严寒酷暑的挑战，为终端用户带来安心的驾乘体验。

选择DMT10H025LK3-13，就是选择了一种更高效、更简洁的设计哲学。其低至22毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通损耗，电能更多地被用于驱动负载，而非转化为令人头疼的热量。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，让您的电源系统轻松达到更高的效率峰值。采用经典的TO-252（D-Pak）封装，它不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，助力您实现规模化、高一致性的生产。当您需要可靠的车规级功率器件时，专业的DIODES代理商将是您获取这颗高性能芯片、获得技术支持和稳定供应的最佳伙伴。

无论是升级现有产品，还是开发面向未来的创新平台，DMT10H025LK3-13都能以卓越的性能和可靠性，成为您设计中不可或缺的核心力量。它代表的是一种对品质的不懈追求，是助力您的产品在激烈市场中脱颖而出的强大引擎。

• 型号:DMT10H025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMT10H025LK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和易用性的功率开关吗？DMT10H025LK3-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为汽车级和工业级高压、大电流应用精心打造，旨在让您的电源设计事半功倍。

它能为您的系统提供强劲的100V/47.2A开关能力，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，直接提升整体能效，让热量管理变得更轻松。同时，优化的动态参数确保了快速、干净的开关行为，帮助您简化驱动电路设计，实现更高的工作频率和更紧凑的布局。

更重要的是，它通过了AEC-Q101认证，拥有宽达-55°C至150°C的工作结温范围，并采用成熟的TO-252封装，为您带来从设计到量产的全程可靠保障，让您能够自信地应对最严苛的应用环境挑战。