DMT10H015LPS-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的商业价值时，选择一颗性能卓越的MOSFET就是您制胜的关键。今天，我们向您隆重介绍DMT10H015LPS-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈、释放系统潜能而生。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关应用中，一颗MOSFET不仅需要承受100V的高压，还要在频繁开关中保持极低的导通损耗。DMT10H015LPS-13以其仅16毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs条件下），让电流通道无比顺畅，直接将导通损耗降至新低。这意味着更少的能量以热的形式浪费，更多的能量被有效利用，您的终端产品将因此获得更长的运行时间、更低的温升和更高的可靠性。无论是紧凑的消费类电源适配器，还是要求严苛的工业自动化设备，它都能游刃有余，成为系统核心动力的可靠守护者。

为何众多工程师在众多选项中最终锁定它？答案在于其卓越的综合性能与易用性的完美平衡。高达7.3A的连续漏极电流承载能力，配合优化的栅极电荷（仅33.3nC），确保了快速、干净的开关特性，显著降低了开关损耗，让高频高效运行成为可能。其宽泛的驱动电压范围（4.5V至10V）使其能轻松兼容多种控制逻辑，简化您的驱动电路设计。更令人安心的是其坚固的体质，Vgs可承受±20V的冲击，工作结温范围宽达-55°C至150°C，配合PowerDI5060封装出色的散热性能，即使在恶劣环境下也能稳定工作，大幅提升了系统的鲁棒性和寿命。选择DMT10H015LPS-13，就是选择了一份经过验证的性能保障，让您的设计从“能用”飞跃到“卓越”。如需获取样品或技术支持，我们的官方DIODES代理将为您提供全程专业服务。

• 型号:DMT10H015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT10H015LPS-13正是您期待的解决方案。这颗100V N沟道MOSFET，凭借其惊人的低导通电阻（最低仅16毫欧），能显著降低您电路中的传导损耗，让电能传输更高效，直接帮助您的产品实现更低的温升和更高的能效等级。

它能让您轻松驾驭高达7.3A的连续电流，并以其优化的开关特性（栅极电荷仅33.3nC）确保快速响应，减少开关损耗。无论是用于设计紧凑高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是作为智能负载开关，它都能提供稳定可靠的性能。其坚固的设计（支持±20V Vgs，工作温度范围-55°C至150°C）和易于贴装的PowerDI5060封装，让您能够从容应对各种严苛应用，大幅提升最终产品的市场竞争力。