DMT10H015LK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的导通损耗和散热问题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的商业价值时，选择一颗性能卓越的MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义高效功率转换的明星产品DMT10H015LK3-13。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器或电机驱动电路中，电流顺畅地通过，热量被高效地控制，系统运行安静而稳定。这正是DMT10H015LK3-13带来的核心价值。凭借其低至15毫欧的导通电阻（Rds(on)），在20A电流、10V驱动电压下，它能将导通损耗降至极低水平，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。100V的漏源电压（Vdss）和50A的连续漏极电流能力，赋予了它应对汽车电子、工业电源等严苛应用的充足余量和可靠性。其符合AEC-Q101车规标准，意味着它历经了最严格的品质验证，能在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，无畏环境挑战。

无论是新能源车的三电系统、服务器电源的高密度模块，还是自动化设备的电机控制单元，DMT10H015LK3-13都能游刃有余。它的TO-252（D-Pak）封装兼顾了优异的散热性能和紧凑的占板面积，让您的PCB布局更加灵活。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，帮助您轻松优化开关频率与效率的平衡。选择它，就是选择了一种更可靠、更高效的设计方案。

在元器件选型中，性能、可靠性和可获得性缺一不可。DMT10H015LK3-13来自知名的Diodes Incorporated，其卓越的品质和一致的性能有口皆碑。为了确保您能稳定、便捷地获取这颗优质芯片，我们建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，从而获得原厂正品保障、及时的技术支持以及有竞争力的供应服务。让DMT10H015LK3-13成为您下一款明星产品的“心脏”，驱动创新，赢取市场。立即行动，开启您的高效功率设计新篇章！

• 型号:DMT10H015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？DMT10H015LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗100V N沟道MOSFET拥有高达50A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻仅15毫欧，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用坚固的TO-252封装，散热性能出色，并符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，确保在恶劣环境下也能稳定工作。无论是用于汽车电子、工业电源还是其他高可靠性应用，它都能让您轻松实现高功率密度和高效率的设计目标，提升产品整体性能和市场竞争力。