DMT10H014LSS-13

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一颗专为严苛应用而生的高性能MOSFET，将彻底改变您的设计体验。这就是DMT10H014LSS-13，它不仅是一颗晶体管，更是您实现高效、可靠电源设计的强大引擎。凭借其N沟道设计和100V的漏源电压耐受能力，它能在复杂的电路环境中稳如磐石，将高达8.9A的连续电流轻松驾驭，为您的产品注入澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下，在汽车电子的心脏地带无论是引擎控制单元、LED照明驱动，还是先进的ADAS系统，稳定与高效是生存的法则。DMT10H014LSS-13正是为此而生。它出身于Automotive, AEC-Q101产品家族，历经严苛的认证，从-55°C到150°C的结温范围内都能保持卓越性能，无惧严寒酷暑与道路颠簸。其低至15毫欧的导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而非转化为恼人的热量。这不仅提升了系统整体效率，直接延长了电池续航或降低了能耗，更简化了您的散热设计，让产品结构更紧凑，可靠性再上一个台阶。

选择DMT10H014LSS-13，就是选择了一份从容与保障。其优化的栅极电荷（Qg最大值33.3nC）与输入电容特性，确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于高频开关电源应用至关重要，能让您的产品在效率竞赛中脱颖而出。同时，±20V的栅源电压最大值提供了更宽的驱动安全裕度。当您需要可靠的原厂供应链支持时，专业的DIODES芯片代理将成为您的坚实后盾，确保这颗高性能芯片稳定供应，助您加速产品上市进程。从工业电源到车载充电器，从电机驱动到DC-DC转换，让DMT10H014LSS-13成为您下一个成功项目的秘密武器，开启能效新纪元。

• 型号:DMT10H014LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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您正在寻找一颗既能扛住高压大电流，又能在高效与可靠间取得完美平衡的MOSFET吗？DMT10H014LSS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和8.9A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅15毫欧），能大幅减少功率损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它专为汽车级（AEC-Q101）可靠性要求而打造，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在恶劣环境下稳定运行。优化的栅极电荷让开关速度更快，损耗更低，无论是用于电机控制、电源开关还是负载切换，都能让您的系统性能显著提升，设计变得更简单、更可靠。