DMT10H010SPS-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关器件，能够在100V的电压平台上，以仅8.8毫欧的超低导通电阻，承载高达113A的连续电流，这带来的不仅仅是性能的提升，更是系统效率的飞跃和设计空间的释放。这正是DMT10H010SPS-13为您呈现的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的电气特性，正成为工程师们打造高效、紧凑、可靠电源解决方案的秘密武器。

它的身影活跃在众多前沿应用场景中。无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换模块，还是新能源领域如太阳能逆变器、车载充电机(OBC)中的关键开关，DMT10H010SPS-13都能游刃有余。在电机驱动控制中，它确保快速响应和低损耗；在工业电源和UPS不间断电源系统中，它提供稳定可靠的能量切换。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和PowerDI5060-8封装带来的优异散热能力，让您的产品无惧严苛环境挑战，从容应对高功率密度设计的需求。

选择DMT10H010SPS-13，就是选择了一份从容与高效。其极低的栅极电荷（Qg仅56.4nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松奔向更高频率，从而显著缩小磁性元件的体积和成本。高达±20V的栅源电压耐受范围，提供了更强的抗干扰能力和设计裕度。当您需要可靠的供应链和技术支持时，DIODES中国代理将是您坚实的后盾。从原型设计到批量生产，这颗集高性能、高可靠性于一体的功率MOSFET，都将成为您提升产品竞争力、赢得市场的得力伙伴。它不仅仅是一个半导体器件，更是您实现能效突破、打造下一代绿色智能硬件的基石。

• 型号:DMT10H010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta），113A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能兼顾高效率与高可靠性的“心脏”级功率开关吗？DMT10H010SPS-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的低导通电阻（最低仅8.8毫欧），让您在处理高达113A的连续电流时，也能将导通损耗降至最低，从而显著提升整个电源系统的效率，并有效缓解散热压力。

它专为 demanding 应用而优化。极低的栅极电荷和输入电容特性，让您能够轻松实现高速开关，这不仅有助于缩小外围元件尺寸，更能让您的DC-DC转换器、电机驱动器或逆变器运行得更快、更凉、更安静。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，兼具优异的散热性能和紧凑的占板面积，是您打造高功率密度、高可靠性现代电子产品的理想选择。