DMT10H010LPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键元件的性能提升，就能让整体效率迈上一个新台阶，同时显著降低温升和系统复杂度。这正是DMT10H010LPS-13带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款高性能N沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的得力助手。

这颗芯片的卓越之处，首先体现在其极低的导通电阻上。在10V驱动电压下，其Rds(On)最大值仅为9.5毫欧，这意味着在导通状态下，电流通过的阻力微乎其微，从而将导通损耗降至最低。无论是用于DC-DC转换器的主开关，还是电机驱动中的H桥臂，更低的损耗直接转化为更高的系统效率和更少的发热量。配合其高达100V的漏源电压和9.4A的连续漏极电流能力，它为48V总线应用、工业电源、电动工具以及各类消费电子产品的电源管理提供了坚实而高效的基础。其PowerDI5060封装不仅实现了出色的热性能，功率耗散可达139W（Tc），更以其紧凑的尺寸，让您在寸土寸金的PCB上从容布局，轻松应对高功率密度设计的挑战。

当您在设计一款需要快速响应的同步整流电路，或是为一个高频率的开关电源寻找核心开关管时，DMT10H010LPS-13的优势将更加凸显。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速且干净的开关特性，这不仅减少了开关过渡期间的损耗，也降低了对驱动电路的要求，让您的系统在高频下运行依然稳定高效。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气，无论是炎热的户外设备内部，还是低温启动的汽车电子场景，它都能稳定可靠地工作。

选择DMT10H010LPS-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿性能的结合。它代表了Diodes在功率半导体领域深厚的技术积淀，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程。如果您正在寻找一个能够提升产品竞争力、简化设计难度的功率开关解决方案，那么这颗芯片无疑是您的理想之选。要获取详细的技术支持、样品申请或批量采购信息，欢迎随时联系我们的DIODES中国代理，我们的专业团队将竭诚为您服务，助力您的创意迅速转化为成功的产品。

• 型号:DMT10H010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），139W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？DMT10H010LPS-13正是为您而来的高效解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的100V N沟道MOSFET，凭借其低至9.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源适配器运行得更凉快、更高效。

它不仅能处理高达9.4A的连续电流，其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）更能让您轻松实现高速开关，提升整体系统响应速度与频率。采用先进的PowerDI5060封装，在提供强大功率处理能力（139W Tc）的同时，保持了极小的占板面积，完美契合您对高功率密度和紧凑布局的设计追求。