DMT10H009LPS-13

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在保持极致紧凑的同时，承载高达90A的澎湃电流？这正是DMT10H009LPS-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键引擎。其100V的漏源电压和低至8毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接转化为更长的运行时间和更低的散热成本，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

这颗芯片的应用舞台极为广阔。无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源、通信基站，还是对动态响应要求苛刻的电动工具、无人机电调，甚至是汽车电子中的辅助驱动单元，DMT10H009LPS-13都能游刃有余。其卓越的开关特性（Qg仅40.2nC）确保了高速切换下的低损耗，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它应对严苛环境的坚韧品质。这意味着，从消费电子到工业自动化，您的设计都能获得稳定而强大的心脏。

选择DMT10H009LPS-13，就是选择了一种经过深思熟虑的平衡艺术。它在高电流能力、超低导通电阻与出色的热性能之间取得了完美平衡。PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热路径，还极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，通过官方授权的DIODES代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获取正品与原厂支持的最明智选择。让这颗高效能MOSFET成为您下一个成功产品的坚实基石，开启能效与性能的新篇章。

• 型号:DMT10H009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？DMT10H009LPS-13正是为您破局而来。这颗100V N沟道MOSFET，凭借其惊人的90A（Tc）连续电流能力和低至8毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，完美适配现代电子产品紧凑化的设计趋势。优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，让您轻松实现高频率、高效率的电路设计。无论是升级现有产品还是开发全新项目，选择DMT10H009LPS-13，就是选择了一条通往更高性能、更优成本的捷径。