DMT10H009LH3

当您的电源设计面临效率瓶颈，或功率密度要求日益严苛时，是否曾渴望一颗能在高功率与低损耗之间取得完美平衡的开关器件？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMT10H009LH3，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破性能极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效能电源解决方案的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或新能源车载充电器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的堆积。DMT10H009LH3以其卓越的9毫欧超低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动下轻松应对20A电流，将导通损耗降至前所未有的低水平。这意味着更少的能量浪费为热量，更高的系统整体效率，以及更可靠的长期运行稳定性。其100V的漏源电压和高达84A的连续漏极电流承载能力，赋予了它应对严苛工况的强悍体魄，无论是应对突发的电流冲击还是持续的高负载运行，都能游刃有余，让您的设备动力澎湃，运行冷静。

选择DMT10H009LH3，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用成熟的TO-251封装，在提供优异散热性能的同时，兼顾了PCB布局的灵活性与生产制造的便利性。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，开关损耗更小，尤其适合高频开关应用。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然表现如一。当您需要可靠、高效且具成本效益的功率开关方案时，DMT10H009LH3无疑是您的不二之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎随时联系我们的DIODES中国代理，我们将为您提供全方位的专业服务，助力您的项目快速成功。

• 型号:DMT10H009LH3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 84A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• 想获取DMT10H009LH3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率转换系统的效率提升而烦恼吗？DMT10H009LH3 N沟道MOSFET就是您期待的解决方案。它凭借100V的耐压和高达84A的电流处理能力，为您的大功率应用注入强劲动力，同时其惊人的9毫欧超低导通电阻，能大幅削减导通损耗，直接提升系统能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

这颗芯片能为您做的远不止于此。其优化的栅极特性让驱动变得异常轻松，有效降低开关损耗，特别适合高频开关电源设计。采用坚固的TO-251封装，确保了出色的散热性能和可靠性，让您的设计在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。选择DMT10H009LH3，就是选择了一个让您设计更高效、运行更可靠、竞争力更强的核心部件。