DMT10H009LFG-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件DMT10H009LFG-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师们设计高效、紧凑电源系统的秘密武器。想象一下，在100V的电压平台上，它能以低至8.5毫欧的导通电阻，轻松驾驭高达13A（环境温度）乃至50A（壳温）的连续电流，这意味着更低的传导损耗和更清凉的系统运行，直接将您的产品能效推向新的高度。

无论是服务器电源中需要高密度功率转换，还是电动工具里要求瞬间爆发大电流，甚至是新能源车车载充电器(OBC)对可靠性与效率的双重严苛考验，DMT10H009LFG-13都能从容应对。其优化的栅极电荷（Qg）仅41nC，结合2.5V的低阈值电压，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让高频开关电源的设计变得前所未有的高效。从-55°C到150°C的宽广结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力，无论严寒酷暑，性能始终稳定如一。选择它，就是为您的产品注入了持久可靠的动力核心。

为何众多领先企业纷纷在其新一代产品中青睐DMT10H009LFG-13？答案在于它完美平衡了性能、尺寸与可靠性。采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，在提供高达30W（壳温）散热能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，助力实现更轻薄、更小巧的终端产品。其4.5V至10V的驱动电压范围，与主流控制器完美兼容，让您的设计无缝衔接，加速产品上市进程。当您寻求顶级的功率解决方案时，与值得信赖的DIODES芯片代理合作，不仅能确保获得正品可靠的DMT10H009LFG-13，还能获得专业的技术支持，让您的创新之路畅通无阻。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键一步。

• 型号:DMT10H009LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2361 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的“心脏”吗？DMT10H009LFG-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的低导通电阻（最低8.5毫欧），能大幅降低导通损耗，让电能转换更高效，系统运行更凉爽。

它能让您轻松驾驭从13A到50A的宽范围电流，其快速开关特性（栅极电荷仅41nC）显著减少了开关损耗，特别适合高频开关电源应用。无论是空间受限的便携设备，还是对散热要求严苛的工业系统，其PowerDI3333-8封装都能提供卓越的散热性能和空间利用率，助您打造更强大、更可靠的产品。