DMPH6050SK3-13

当您的下一个电源管理设计项目需要兼顾高效能与高可靠性时，您是否正在寻找一颗能够从容应对60V高压环境、同时提供卓越导通性能的P沟道MOSFET？答案就在DMPH6050SK3-13。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其P通道架构和高达60V的漏源电压，为您的高压侧开关和负载切换应用带来了全新的解决方案。它不仅能在严苛的工业温度范围（-55°C至175°C）内稳定工作，更以极低的导通电阻（典型值仅50毫欧@10V）显著降低功率损耗，将更多电能转化为有效输出，而不是无谓的热量。

想象一下，在您的电机驱动控制板、DC-DC转换器或是电池保护电路中，DMPH6050SK3-13正扮演着高效“电子开关”的核心角色。其高达23.6A（Tc）的连续漏极电流能力，让它足以驱动要求苛刻的负载；而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体效率、实现更紧凑的电源设计至关重要。无论是消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，它都能帮助您的产品在性能与能效的平衡上脱颖而出。

选择DMPH6050SK3-13，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。TO-252（D-Pak）的表面贴装封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达1.9W的功率耗散，也兼容现代化的自动化生产流程，助力您快速实现产品量产。其宽泛的驱动电压范围（4.5V至10V）确保了与多种控制逻辑的轻松兼容，简化了您的电路设计。当您追求设计的最优解时，这颗芯片就是那个值得信赖的基石。我们作为值得信赖的DIODES授权代理，确保您能获得原厂正品与全面的技术支持，让您的创新之路畅通无阻。

• 型号:DMPH6050SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta），23.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1377 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源路径管理中的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？DMPH6050SK3-13 P沟道MOSFET正是为您而来的高效解决方案。它能让您轻松驾驭高达60V的电压和23.6A的电流，同时凭借低至50毫欧的导通电阻，大幅削减开关过程中的能量损耗，直接提升终端产品的续航与性能表现。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计更简洁、更可靠。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作，减少电磁干扰，让系统运行更稳定。无论是用于负载开关、电机控制还是电源转换，它都能帮助您构建出更高效、更紧凑的电路，从容应对-55°C到175°C的严酷工作环境，是追求高品质与高可靠性设计的工程师的理想之选。